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RSC-6000型異質(zhì)結(jié)PECVD設(shè)備（含自動(dòng)化）
設(shè)備采用射頻等離子體增加化學(xué)氣相沉積技術(shù)，在制絨清洗后的硅片表面，沉積5-10NM非晶硅鈍化層。非晶硅鈍化層包括本征非晶硅層（I層）、摻雜非晶硅層（P層）和摻雜非晶硅層（N層），且具備切換成甚高頻電源進(jìn)行摻雜微晶硅層（P層）和參雜微晶硅層（N層）的沉積；配備等離子清洗系統(tǒng)，可在腔內(nèi)實(shí)現(xiàn)腔體和板框的自動(dòng)清洗功能，維護(hù)保養(yǎng)方便；自動(dòng)上下料系統(tǒng)具備上料自動(dòng)外觀（破片、缺口、崩邊）檢測(cè)及下料PL檢測(cè)功能，整機(jī)良率及穩(wěn)定性好。
PVD又稱物理氣相沉積，RSP-100為多靶水平磁控濺射系統(tǒng)，專為實(shí)驗(yàn)室工藝研發(fā)、材料開(kāi)發(fā)等功能開(kāi)發(fā)的一款多功能實(shí)驗(yàn)性平臺(tái)，可滿足自動(dòng)往復(fù)多次鍍膜的要求。
本設(shè)備可為單腔原子層積沉系統(tǒng)，專為實(shí)驗(yàn)室工藝研發(fā)、材料開(kāi)發(fā)等功能開(kāi)發(fā)的一款多功能實(shí)驗(yàn)性平臺(tái)，可針對(duì)性實(shí)現(xiàn)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池（PSCS)電子傳輸層薄膜（TIO2、SNO2等）的制備。
RSP-8000型平板式PVD設(shè)備（含自動(dòng)化）
PVD又稱物理氣相沉積，用于高效異質(zhì)結(jié)（HJT)太陽(yáng)電池硅片的正反面濺鍍 ITO透明電薄膜。業(yè)內(nèi)最大跨度的量產(chǎn)型磁控濺射設(shè)備，可在一次工藝過(guò)程實(shí)現(xiàn)正反面的鍍膜。自動(dòng)上下料系統(tǒng)具備上料自動(dòng)外觀（破片、缺口、崩邊）檢測(cè)及下料PL檢測(cè)功能，產(chǎn)能達(dá)，穩(wěn)定性好。
低壓化學(xué)氣相淀積設(shè)備（LPCVD)，是在20~300PA左右的反應(yīng)壓力下，通過(guò)氣體的化學(xué)反應(yīng)生成固體反應(yīng)物，并使其淀積在硅片表面形成薄膜的工藝設(shè)備。
低壓化學(xué)氣相淀積設(shè)備（LPCVD)，是在20 - 300PA左右的反應(yīng)壓力下，通過(guò)氣體的化學(xué)反應(yīng)生成固體反應(yīng)物，并使其淀積在硅片表面形成薄膜的工藝設(shè)備。由于其制備的薄膜具有質(zhì)量?jī)?yōu)異、均勻性好、產(chǎn)量高的特點(diǎn)，被廣泛用于微電子等行業(yè)中氧化硅和多晶硅等薄膜的制備。適用于晶硅電池行業(yè)中的TOPCON電池多晶硅薄膜的制備，具有產(chǎn)能大、工藝效果好、兼容原位摻雜工藝等特點(diǎn)。相比較傳統(tǒng)臥式爐管設(shè)備，立式擴(kuò)散設(shè)備具備：高效穩(wěn)定，高精度溫度控制性能，良好工藝效果和低能耗等技術(shù)優(yōu)勢(shì)。
擴(kuò)散爐是半導(dǎo)體生產(chǎn)線前道工序的重要工藝設(shè)備之一，用于大規(guī)模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件和光導(dǎo)纖維等行業(yè)的擴(kuò)散、氧化、退火、合金及燒結(jié)等工藝。
PECVD即等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積設(shè)備，是利用高頻電源輝光放電產(chǎn)生等離子對(duì)化學(xué)氣相沉積過(guò)程施加影響的技術(shù)。 M82300-12/UM型 PECVD設(shè)備主要用于TOPCON和PERC電池正背面氮化硅減反射鈍化薄膜的生長(zhǎng)，也可以用于PERC電池背面氧化鋁薄膜的生長(zhǎng)。
PECVD即等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積設(shè)備，是利用高頻電源輝光放電產(chǎn)生等離子對(duì)化學(xué)氣相沉積過(guò)程施加影響的技術(shù)。 M82300-12/UM型 PECVD設(shè)備主要用于TOPCON和PERC電池正背面氮化硅減反射鈍化薄膜的生長(zhǎng)，也可以用于PERC電池背面氧化鋁薄膜的生長(zhǎng)。
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