M82300-8/UM型 PECVD鍍膜設備

PECVD即等離子體增強化學氣相淀積設備，是利用高頻電源輝光放電產生等離子對化學氣相沉積過程施加影響的技術。 M82300-12/UM型 PECVD設備主要用于TOPCON和PERC電池正背面氮化硅減反射鈍化薄膜的生長，也可以用于PERC電池背面氧化鋁薄膜的生長。

關鍵詞：

泛半導體高端工藝裝備制造商、智能制造和整線集成解決方案提供商

所屬分類：

電話：

郵箱：

M82300-8/UM型 PECVD鍍膜設備

設備概述：

PECVD即等離子體增強化學氣相淀積設備，是利用高頻電源輝光放電產生等離子對化學氣相沉積過程施加影響的技術。

M82300-8/UM型 PECVD設備主要用于TOPCON和PERC電池正背面氮化硅減反射鈍化薄膜的生長，也可以用于PERC電池背面氧化鋁薄膜的生長。

產品的主要特點及優勢：

硅片尺寸可兼容至230MM；
恒溫區長達2600mm，長恒溫區單/雙舟量產工藝驗證；
標配上下新型輔助加熱組件，使用壽命長，壽命期內免維護；
成熟可靠的多軸運動機構及控制系統；
具備背面氧化鋁工藝能力，預留TOPCON升級空間

主要技術參數

成膜種類	氮化硅、氮氧硅、氧化硅、氧化鋁（選配）	典型產能	6060片/小時/臺（M10硅片，氮化硅，6管/臺）
整機尺寸	9935MM(L)x2460MM(W)x4340MM(H)（不含真空泵）		4600片/小時/臺（M12硅片，氮化硅，6管/臺）
膜厚范圍	氮化硅：70 - 150NM		5100片/小時/臺（M10硅片，氮化硅+氧化鋁，6管/臺）
膜厚范圍	氮化硅+氧化鋁：8 - 20NM（氧化鋁），80 - 150NM（氮化硅）		3880片/小時/臺（M12硅片，氮化硅+氧化鋁，6管/臺）
典型裝片量	726片/舟（M6）、640片/舟（M10）	石英管直徑	540MM（外徑）/528MM(內徑）
典型裝片量	486片/舟（M12）、432片/舟（230）	溫度控制范圍	260 ～ 650℃
成膜均勻性	氮化硅：片內≤4%、片間≤4%、批間≤3%	恒溫區長度及精度	≤±1℃/2600MM(450℃）
成膜均勻性	氮化硅+氧化鋁：片內≤6%、片間≤6%、批間≤5%	工作壓力	220±40PA（VAT閥控壓）

M82300-12/UM型 PECVD鍍膜設備

M5111-2/UM型低壓硼擴散爐設備

相關產品

RSC-6000型異質結PECVD設備（含自動化）

設備采用射頻等離子體增加化學氣相沉積技術，在制絨清洗后的硅片表面，沉積5-10NM非晶硅鈍化層。非晶硅鈍化層包括本征非晶硅層（I層）、摻雜非晶硅層（P層）和摻雜非晶硅層（N層），且具備切換成甚高頻電源進行摻雜微晶硅層（P層）和參雜微晶硅層（N層）的沉積；配備等離子清洗系統，可在腔內實現腔體和板框的自動清洗功能，維護保養方便；自動上下料系統具備上料自動外觀（破片、缺口、崩邊）檢測及下料PL檢測功能，整機良率及穩定性好。

RSP-100型掃描式磁控濺射設備

PVD又稱物理氣相沉積，RSP-100為多靶水平磁控濺射系統，專為實驗室工藝研發、材料開發等功能開發的一款多功能實驗性平臺，可滿足自動往復多次鍍膜的要求。

RSD-100型原子層沉積設備

本設備可為單腔原子層積沉系統，專為實驗室工藝研發、材料開發等功能開發的一款多功能實驗性平臺，可針對性實現鈣鈦礦太陽能電池（PSCS)電子傳輸層薄膜（TIO2、SNO2等）的制備。

產品留言