M80110-3/UM型LPCVD設備

低壓化學氣相淀積設備（LPCVD)，是在20~300PA左右的反應壓力下，通過氣體的化學反應生成固體反應物，并使其淀積在硅片表面形成薄膜的工藝設備。

關鍵詞：

泛半導體高端工藝裝備制造商、智能制造和整線集成解決方案提供商

所屬分類：

電話：

郵箱：

M80110-3/UM型LPCVD設備

設備概述：

低壓化學氣相淀積設備（LPCVD)，是在20~300PA左右的反應壓力下，通過氣體的化學反應生成固體反應物，并使其淀積在硅片表面形成薄膜的工藝設備。
M80110-3/UM型是我司第三代大產能LPCVD設備，適用于晶硅電池行業中的TOPCON電池多晶硅薄膜的制備，具有產能大、工藝效果好、兼容原位摻雜工藝等特點。

產品的主要特點及優勢：

硅片尺寸可兼容至230mm;
采用優質的控溫方式，確保工藝區溫度的均勻性與穩定性;
爐體具備極冷極熱性能，產能及工藝效果更優；
法蘭密封系統，采用雙層水冷密封結構，氣密性好，密封圈使用壽命更長；
雙層反應管設計，充分延長石英管、石英舟的使用壽命；
針對TOPCON電池多晶硅薄膜制備過程中溫度和氣體組分差異引起的晶粒大小不一、薄膜性質不穩定等工藝問題，開發了高精度溫區同步溫控、環形進氣、氣體補償注入等技術，確保薄膜的質量和均勻性。

主要技術參數

成膜種類	SiOX 、Poly-Si、原位摻雜	遂穿層均勻性	片內≤±0.2NM、片間≤±0.2NM、批間≤±0.1NM
方阻范圍	100 - 300mm	本征層均勻性	片內≤5%、片間≤4%、批間≤3%
石英管內徑	≥420mm	原位摻雜均勻性	片內≤5%、片間≤5%、批間≤4%
典型裝片量	182硅片：1400片/舟	溫度控制范圍	400℃ - 700℃
	210硅片：1200片/舟	恒溫區長度及精度	≤±1℃/1700mm(500℃ - 700℃)
	182硅片：≥1400片/舟（常規方形）
	210硅片：≥1200片/舟（常規方形）
溫度控制范圍	400℃ - 700℃	工作壓力	20 - 300Pa（閉環控制）

M5311-1/UM型LPCVD設備

無

相關產品

RSC-6000型異質結PECVD設備（含自動化）

設備采用射頻等離子體增加化學氣相沉積技術，在制絨清洗后的硅片表面，沉積5-10NM非晶硅鈍化層。非晶硅鈍化層包括本征非晶硅層（I層）、摻雜非晶硅層（P層）和摻雜非晶硅層（N層），且具備切換成甚高頻電源進行摻雜微晶硅層（P層）和參雜微晶硅層（N層）的沉積；配備等離子清洗系統，可在腔內實現腔體和板框的自動清洗功能，維護保養方便；自動上下料系統具備上料自動外觀（破片、缺口、崩邊）檢測及下料PL檢測功能，整機良率及穩定性好。

RSP-100型掃描式磁控濺射設備

PVD又稱物理氣相沉積，RSP-100為多靶水平磁控濺射系統，專為實驗室工藝研發、材料開發等功能開發的一款多功能實驗性平臺，可滿足自動往復多次鍍膜的要求。

RSD-100型原子層沉積設備

本設備可為單腔原子層積沉系統，專為實驗室工藝研發、材料開發等功能開發的一款多功能實驗性平臺，可針對性實現鈣鈦礦太陽能電池（PSCS)電子傳輸層薄膜（TIO2、SNO2等）的制備。

產品留言