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M82300-12/UM型 PECVD鍍膜設(shè)備
關(guān)鍵詞：
泛半導(dǎo)體高端工藝裝備制造商、智能制造和整線集成解決方案提供商
M82300-12/UM型 PECVD鍍膜設(shè)備
- 單管產(chǎn)能大，單片COO成本低，設(shè)備投資成本低；
- 設(shè)備高度可適應(yīng)4.5米廠房空間，節(jié)省廠房建設(shè)運(yùn)營成本；
- 恒溫區(qū)長達(dá)2600mm，管徑達(dá)610mm，單管載片量大；
- 輔熱分段可控，有效提高整舟均勻性；
- 推舟管控一對(duì)一配置，設(shè)備穩(wěn)定性高；
- 具備背面氧化鋁工藝能力，預(yù)留TOPCON升級(jí)空間
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成膜種類 |
氮化硅、氮氧硅、氧化硅、氧化鋁（選配） |
石英管直徑 |
610MM（外徑）/598MM(內(nèi)徑） |
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膜厚范圍 |
70 - 150NM（氮化硅） |
成膜均勻性 |
氮化硅：片內(nèi)≤4%、片間≤4%、批間≤3% |
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8 - 20NM（氧化鋁），80 - 150NM（氮化硅） |
氮化硅+氧化鋁：片內(nèi)≤6%、片間≤6%、批間≤5% |
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典型產(chǎn)能 |
6000片/小時(shí)/臺(tái) （M10硅片，氮化硅，6管/臺(tái)） |
溫度控制范圍 |
260 ～ 650℃ |
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4800片/小時(shí)/臺(tái) （M12硅片，氮化硅，6管/臺(tái)） |
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5050片/小時(shí)/臺(tái) （M10硅片氮化硅+氧化鋁，6管/臺(tái)） |
恒溫區(qū)長度 |
2≤±1℃/2600MM(450℃） |
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4080片/小時(shí)/臺(tái) （M12硅片氮化硅+氧化鋁，6管/臺(tái)） |
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典型裝片量 |
760片/舟 （M10）、612片/舟（M12） |
工作壓力 |
220±40PA（VAT閥控壓） |
相關(guān)產(chǎn)品
RSC-6000型異質(zhì)結(jié)PECVD設(shè)備（含自動(dòng)化）
設(shè)備采用射頻等離子體增加化學(xué)氣相沉積技術(shù)，在制絨清洗后的硅片表面，沉積5-10NM非晶硅鈍化層。非晶硅鈍化層包括本征非晶硅層（I層）、摻雜非晶硅層（P層）和摻雜非晶硅層（N層），且具備切換成甚高頻電源進(jìn)行摻雜微晶硅層（P層）和參雜微晶硅層（N層）的沉積；配備等離子清洗系統(tǒng)，可在腔內(nèi)實(shí)現(xiàn)腔體和板框的自動(dòng)清洗功能，維護(hù)保養(yǎng)方便；自動(dòng)上下料系統(tǒng)具備上料自動(dòng)外觀（破片、缺口、崩邊）檢測(cè)及下料PL檢測(cè)功能，整機(jī)良率及穩(wěn)定性好。
PVD又稱物理氣相沉積，RSP-100為多靶水平磁控濺射系統(tǒng)，專為實(shí)驗(yàn)室工藝研發(fā)、材料開發(fā)等功能開發(fā)的一款多功能實(shí)驗(yàn)性平臺(tái)，可滿足自動(dòng)往復(fù)多次鍍膜的要求。
本設(shè)備可為單腔原子層積沉系統(tǒng)，專為實(shí)驗(yàn)室工藝研發(fā)、材料開發(fā)等功能開發(fā)的一款多功能實(shí)驗(yàn)性平臺(tái)，可針對(duì)性實(shí)現(xiàn)鈣鈦礦太陽能電池（PSCS)電子傳輸層薄膜（TIO2、SNO2等）的制備。
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