M5111-2/UM型低壓硼擴散爐設備
關鍵詞:
泛半導體高端工藝裝備制造商、智能制造和整線集成解決方案提供商
M5111-2/UM型低壓硼擴散爐設備
- 硅片尺寸可兼容至230mm;
- 產能和兼容性優,可兼容多種規格硅片,僅需更換工裝夾具;
- 具備硼擴散及磷擴散工藝,兼容水平、垂直及常規方形放片;
- 配備獨特的濕氧系統,能夠有效縮短工藝時間提升工藝效果,大幅提升石英件使用壽命;
- 工藝技術成熟可靠,依托公司的工藝驗證電池線,可提供整線工藝技術支持服務。
工藝種類 |
硼擴散 |
恒溫區長度 |
≤±0.5℃/2500mm(800℃ - 1100℃) |
工藝氣體 |
BCl3(可定制BCl3供氣柜)、N2、O2 |
≤±1℃/2500mm(600℃ - 799℃) |
|
石英管內徑 |
5管/臺、6管/臺、10管/臺、12管/臺 |
溫度速率 |
≤±1℃/2500mm(600℃ - 799℃) |
典型裝片量 |
182硅片:2640片/管、2200片/管、(順氣流) |
石英管內徑 |
≥420mm |
210硅片:2000片/管、1800片/管(順氣流) |
|
片內≤5%、片間≤4%、 |
|
溫度控制范圍 |
600℃ - 1500℃ |
工作壓力 |
50-1000mBar(環閉控制) |
相關產品
設備采用射頻等離子體增加化學氣相沉積技術,在制絨清洗后的硅片表面,沉積5-10NM非晶硅鈍化層。非晶硅鈍化層包括本征非晶硅層(I層)、摻雜非晶硅層(P層)和摻雜非晶硅層(N層),且具備切換成甚高頻電源進行摻雜微晶硅層(P層)和參雜微晶硅層(N層)的沉積;配備等離子清洗系統,可在腔內實現腔體和板框的自動清洗功能,維護保養方便;自動上下料系統具備上料自動外觀(破片、缺口、崩邊)檢測及下料PL檢測功能,整機良率及穩定性好。
PVD又稱物理氣相沉積,RSP-100為多靶水平磁控濺射系統,專為實驗室工藝研發、材料開發等功能開發的一款多功能實驗性平臺,可滿足自動往復多次鍍膜的要求。
本設備可為單腔原子層積沉系統,專為實驗室工藝研發、材料開發等功能開發的一款多功能實驗性平臺,可針對性實現鈣鈦礦太陽能電池(PSCS)電子傳輸層薄膜(TIO2、SNO2等)的制備。
產品留言