設備采用射頻等離子體增加化學氣相沉積技術，在制絨清洗后的硅片表面，沉積5-10NM非晶硅鈍化層。非晶硅鈍化層包括本征非晶硅層（I層）、摻雜非晶硅層（P層）和摻雜非晶硅層（N層），且具備切換成甚高頻電源進行摻雜微晶硅層（P層）和參雜微晶硅層（N層）的沉積；配備等離子清洗系統，可在腔內實現腔體和板框的自動清洗功能，維護保養方便；自動上下料系統具備上料自動外觀（破片、缺口、崩邊）檢測及下料PL檢測功能，整機良率及穩定性好。
PVD又稱物理氣相沉積，RSP-100為多靶水平磁控濺射系統，專為實驗室工藝研發、材料開發等功能開發的一款多功能實驗性平臺，可滿足自動往復多次鍍膜的要求。
本設備可為單腔原子層積沉系統，專為實驗室工藝研發、材料開發等功能開發的一款多功能實驗性平臺，可針對性實現鈣鈦礦太陽能電池（PSCS)電子傳輸層薄膜（TIO2、SNO2等）的制備。
PVD又稱物理氣相沉積，用于高效異質結（HJT)太陽電池硅片的正反面濺鍍 ITO透明電薄膜。業內最大跨度的量產型磁控濺射設備，可在一次工藝過程實現正反面的鍍膜。自動上下料系統具備上料自動外觀（破片、缺口、崩邊）檢測及下料PL檢測功能，產能達，穩定性好。
低壓化學氣相淀積設備（LPCVD)，是在20~300PA左右的反應壓力下，通過氣體的化學反應生成固體反應物，并使其淀積在硅片表面形成薄膜的工藝設備。
低壓化學氣相淀積設備（LPCVD)，是在20 - 300PA左右的反應壓力下，通過氣體的化學反應生成固體反應物，并使其淀積在硅片表面形成薄膜的工藝設備。由于其制備的薄膜具有質量優異、均勻性好、產量高的特點，被廣泛用于微電子等行業中氧化硅和多晶硅等薄膜的制備。適用于晶硅電池行業中的TOPCON電池多晶硅薄膜的制備，具有產能大、工藝效果好、兼容原位摻雜工藝等特點。相比較傳統臥式爐管設備，立式擴散設備具備：高效穩定，高精度溫度控制性能，良好工藝效果和低能耗等技術優勢。
擴散爐是半導體生產線前道工序的重要工藝設備之一，用于大規模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件和光導纖維等行業的擴散、氧化、退火、合金及燒結等工藝。
PECVD即等離子體增強化學氣相淀積設備，是利用高頻電源輝光放電產生等離子對化學氣相沉積過程施加影響的技術。 M82300-12/UM型 PECVD設備主要用于TOPCON和PERC電池正背面氮化硅減反射鈍化薄膜的生長，也可以用于PERC電池背面氧化鋁薄膜的生長。
PECVD即等離子體增強化學氣相淀積設備，是利用高頻電源輝光放電產生等離子對化學氣相沉積過程施加影響的技術。 M82300-12/UM型 PECVD設備主要用于TOPCON和PERC電池正背面氮化硅減反射鈍化薄膜的生長，也可以用于PERC電池背面氧化鋁薄膜的生長。
微信公眾號
微信視頻號