M5111-13/UM型低壓氧化退火爐設備

氧化/退火爐是半導體生產線前道工序的重要工藝設備之一，用于大規模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件和光導纖維等行業的氧化、退火、合金及燒結等工藝。低壓氧化/退火爐在太陽能行業晶體硅的氧化、退火工藝。

關鍵詞：

泛半導體高端工藝裝備制造商、智能制造和整線集成解決方案提供商

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M5111-13/UM型低壓氧化退火爐設備

設備概述：

產品的主要特點及優勢：

硅片尺寸可兼容至230mm;
采用優質的控溫方式，確保工藝區溫度的均勻性與穩定性;
爐體具備極冷極熱性能，產能及工藝效果更優；
法蘭密封系統，采用雙層水冷密封結構，氣密性好，密封圈使用壽命更長；
具備現有PERC工藝能力，兼容TOPCON升級空間。

主要技術參數

工藝種類	氧化、退火	恒溫區長度及精度	≤±0.5℃/2200MM(800℃ - 1100℃)
可選管數	5管/臺、6管/臺、10管/臺、12管/臺	恒溫區長度及精度	≤±1℃/2200MM(600℃ - 799℃)
石英管內徑	≥420MM	溫度速率	最大升溫速率為20℃/MIN 最大降溫速率為8 - 9℃/MIN(快速冷卻功能）
典型裝片量	182硅片：2640片/管、2200片/管（順氣流） 210硅片：2000片/管、1800片/管（順氣流）
典型裝片量	182硅片：1600片/管（常規方形） 210硅片：1600片/管（常規方形）
溫度控制范圍	600℃ - 1100℃	工作壓力	50-1000mBar（環閉控制）

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